光刻机和芯片双管齐下，国产芯片加快突围，美院士：已无力阻拦

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导读：光刻机和芯片双管齐下，国产芯片加快突围，美院士：已无力阻拦！

众所周知，自从进入21世纪以后，整个移动互联网和科技领域就开始快速的发展，而在现代科技领域里，一切发展都无法离开半导体芯片的支持，只有芯片的性能越强大，那么科技设备的性能才越强，这一点在智能手机等领域的表现尤其明显，作为现代科技发展的核心，半导体芯片的研发和生产无疑是非常重要的！

我国在半导体芯片领域长期受到“早不如买”思想的影响，所以也导致我们在半导体芯片领域的发展比较落后，而长期以来，国产科技企业的生产也都一直依赖于从国外进口芯片，这就造成国产科技企业的发展很容易被人卡脖子；自从我国的华为公司被打压以后，就让人们意识到了打造自主化芯片供应链体系的重要性，于是众多的国产科技企业也开始彻底醒悟，并抛弃“拿来主义”思想的影响，并下定决心开始自主“造芯”！

为了加快国产科技企业在半导体芯片领域的发展，我国不仅给了大量的政策和资金的扶持，而且还制定了芯片发展的5年计划，等到2025年国产芯片实现70%自给率的目标，现如今，国内的半导体芯片市场的发展也开始变得如火如荼起来，在2020年一件的时间里，我国新增加的和半导体有关的企业就高达上万家，这也表明国产芯片正在加速突围！

在国产半导体芯片领域，实际上我们并非是一片空白，像芯片的设计领域，我们就已经取得了非常不错的成绩，华为海思半导体公司经过多年的努力，就已经成为了全球排名前十的芯片设计公司，但是我们缺少的却是在芯片制造领域的发展，芯片制造设备是我们最为薄弱的环节，像光刻机、蚀刻机等芯片制造设备对于我们来说，都是“卡脖子”的设备，也是我们要主要攻克的地方！

想要打造自主化的芯片供应链体系，就必须要做到光刻机和芯片技术双管齐下，为了解决光刻机等卡脖子的技术问题，我国的中科院、清华大学以及中国电科等机构都在不断的深入研发；近日，中国电科就正式宣布：离子注入机全谱系已经实现国产化，像大束流、中束流、特种应用及等离子注入机型都取得了巨大的突破，还拿下了413项发明专利。另外，中微半导体也完成了蚀刻机的自主研发，最高工艺可实现5nm工艺水平，而且还已经受到了ASML和台积电等公司的青睐！

除了在芯片制造关键设备领域取得突破以外，在芯片的生产工艺上我们也取得了一定的突破，根据中芯国际的消息来看，中芯国际的N+1工艺技术已经可以实现7nm芯片的生产，而且在4月份的时候，中芯国际将进行7nm工艺芯片的风险试产；另外，中芯国际还从ASML手中购买了大量的DUV光刻机设备，这对于提高中芯国际的芯片产能也将有巨大的帮助，对此有美国院士也表示：现在已经无力阻拦中国在半导体芯片自主化领域的发展了，不给中国企业供应芯片，可以说是一个“愚蠢”的做法，这也倒逼着中国实现芯片的自主化；在我看来，事实也确实如此，在不给华为等中国企业提供芯片以后，也直接倒逼着我们在芯片自主化生产的道路上越走越远，这对于我们来说也算是“塞翁失马焉知非福”了，不知道对此你是怎么看的呢？